¿Cuándo se inventó el transistor y quién lo desarrolló?

El 17 de noviembre de 1947, los físicos estadounidenses Bardeen, Brattain y Shockley empezaron a ponerlo en marcha. Recibirían el Premio Nobel por ello.

Bardeen, Brattain y Shockley

Aunque el invento "oficial" del transistor se produjo en 1947, tuvo varios antecedentes. Así, ya en 1925, el físico austro-húngaro Julius Edgar Lilienfeld solicitó en Canadá una patente para lo que describió como "un aparato para controlar corrientes eléctricas", que se considera el antecesor de los actuales transistores de efecto campo o unipolares. Sin embargo, Lilienfeld no publicó ningún artículo de investigación sobre sus dispositivos ni sus patentes citan ejemplos específicos de un prototipo de trabajo y, debido a que la producción de materiales semiconductores de alta calidad no estaba disponible por entonces, sus ideas sobre amplificadores de estado sólido no hallaron salida práctica. En 1934, el inventor alemán Oskar Heil patentó en Alemania y Gran Bretaña un aparato similar, y cuatro años después los también alemanes Robert Pohl y Rudolf Hilsch efectuaron experimentos en la Universidad de Göttingen con cristales de bromuro de potasio usando tres electrodos, con los cuales lograron la amplificación de señales de 1 Hz, pero sus investigaciones tampoco condujeron a usos prácticos.

Mientras tanto, en 1938, la experimentación en los Laboratorios Bell (Nueva Jersey, Estados Unidos) con rectificadores a base de óxido de cobre llevó a William Bradford Shockley, jefe del llamado Grupo de Física del Estado Sólido, a pensar que era posible lograr la construcción de amplificadores a base de semiconductores, en lugar de tubos de vacío. Su intuición se vio finalmente confirmada cuando, el 17 de noviembre de 1947, los físicos John Bardeen y Walter House Brattain, miembros del equipo de los Laboratorios Bell, empezaron una serie de experimentos en los que observaron que, al aplicar dos contactos puntuales de oro a un cristal de germanio, se producía una señal con una potencia de salida mayor que la de entrada. Shockley, en colaboración con ambos, perfeccionó el sistema y –a sugerencia del ingeniero John R. Pierce– lo bautizaron como "transistor". En reconocimiento a este logro, Shockley, Bardeen y Brattain fueron galardonados conjuntamente con el Premio Nobel de Física de 1956, "por sus investigaciones sobre semiconductores y su descubrimiento del efecto transistor".

Curiosamente, en 1948, el transistor de contacto fue inventado de forma independiente por los físicos alemanes Herbert Mataré y Heinrich Welker mientras trabajaban en la Compagnie des Freins et Signaux, una subsidiaria francesa de la estadounidense Westinghouse. Mataré tenía experiencia previa en el desarrollo de rectificadores de cristal de silicio y de germanio, de la época en que había trabajado para intentar perfeccionar un radar alemán durante la Segunda Guerra Mundial. Usando este conocimiento, empezó a investigar el fenómeno de la "interferencia" que había observado en los rectificadores de germanio durante la guerra. En junio de 1948, Mataré produjo resultados consistentes y reproducibles utilizando muestras de germanio elaboradas por Welker, de modo muy similar a como Bardeen y Brattain lo habían logrado anteriormente. Al darse cuenta de que los científicos de Laboratorios Bell ya habían patentado el transistor antes que ellos, los francoalemanes se apresuraron a poner en producción su dispositivo bajo el nombre de "transistron", para su uso en la red telefónica de Francia.

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